IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOS 360mΩ RDS ((on) 11A در حال حاضر از دست دادن سوئیچینگ بسیار کم کارایی بالا محافظت ESD قوی TO-220 بسته برای برنامه های SMPS و صنعتی

همه محصولات

ماژول 4G 5G (37)

ماژول ارتباط بی سیم (38)

ماژول گیرنده GPS (11)

ماژول های برق یکپارچه (4)

ماژول قدرت IGBT (58)

اجزای مدار مجتمع (533)

قطعات الکترونیکی منفعل (91)

بالا بردن GPS آنتن (14)

آنتن ارتباطات بی سیم (30)

آنتن دسته کوچک موسیقی جاز (14)

آنتن فرکانس پایین (5)

آنتن تلویزیون دیجیتال (7)

کابل کواکسیال RF (9)

اتصال کواکسیال RF (10)

خدمات مونتاژ PCB (5)

اتصالات ترمینال بلوک (16)

چین TOP Electronic Industry Co., Ltd. گواهینامه ها

محصول عالی، کیفیت خوب، قیمت رقابتی، خدمات حرفه ای، با همکاری 10 ساله، در حال حاضر ما تبدیل به دوستان خوب یکدیگر.

—— رونالد از بویلویا

بسیار خوشحالیم که TOP را به عنوان شریک ما در چین پیدا می کنیم، در اینجا می توانیم بهترین محصولات و خدمات را بدست آوریم، آنها همیشه مشتری را در جای خود قرار می دهند.

—— کارلوس- از آرژانتین

من با تمام خدمات شما راضی هستم. این واقعا یک تیم خوب است! با پیشنهاد راه حل یک مرحله ای، ما به صرفه جویی در زمان و پول کمک می کنیم

—— جیانکارلو از ایتالیا

چت IM آنلاین در حال حاضر

IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOS 360mΩ RDS ((on) 11A در حال حاضر از دست دادن سوئیچینگ بسیار کم کارایی بالا محافظت ESD قوی TO-220 بسته برای برنامه های SMPS و صنعتی

تصویر بزرگ : IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOS 360mΩ RDS ((on) 11A در حال حاضر از دست دادن سوئیچینگ بسیار کم کارایی بالا محافظت ESD قوی TO-220 بسته برای برنامه های SMPS و صنعتی

جزئیات محصول:

محل منبع:	چین
نام تجاری:	Infineon
گواهی:	CE,ROHS
شماره مدل:	IPA60R360P7SXKSA1

پرداخت:

مقدار حداقل تعداد سفارش:	1PCS

مخاطب

توضیحات محصول جزئیات

ثبات فرکانس:	± 50ppm	تحمل فرکانس:	±30ppm
دمای کار:	-40°C ~ 85°C	ظرفیت بار:	18 pF
بسته بندی / کیس:	HC-49/ایالات متحده	نام:	اجزای الکتریکی منفعل
برجسته کردن:	IPA60R360P7SXKSA1,IPA60R360P7SXKSA1 MOSFET , IPA60R360P7SXKSA1 MOSFET

IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOSandtrade; 360mΩ RDS(on) 11A جریان تلفات سوئیچینگ فوق‌العاده کم راندمان بالا حفاظت ESD قوی بسته TO-220 برای SMPS و برنامه‌های صنعتی

andnbsp;

ویژگی‌ها

andbull;مناسب برای سوئیچینگ سخت و نرم (PFC و LLC) به دلیل استحکام جابجایی برجسته

andbull;کاهش قابل توجه تلفات سوئیچینگ و هدایت

andbull;مقاومت عالی ESD >2kV (HBM) برای همه محصولات

andbull;RDS(on)/بسته بهتر محصولات در مقایسه با رقبا که توسط یک RDS(on) کم*A (زیر 1 اهم*mmandsup2;) فعال شده است

andnbsp;

مزایا

andbull;سهولت استفاده و طراحی سریع از طریق تمایل به زنگ زدن کم و استفاده در سراسر مراحل PFC و PWM

andbull;مدیریت حرارتی ساده شده به دلیل تلفات سوئیچینگ و هدایت کم

andbull;راه‌حل‌های افزایش تراکم توان که با استفاده از محصولاتی با ردپای کوچکتر و کیفیت تولید بالاتر به دلیل حفاظت ESD >2kV فعال شده‌اند وbull;مناسب برای طیف گسترده‌ای از برنامه‌ها و محدوده‌های توان

andnbsp;

کاربردهای بالقوه

مراحل PFC، مراحل PWM سوئیچینگ سخت و مراحل سوئیچینگ رزونانس برای مثال. PCSilverbox، آداپتور، LCD و PDPTV، روشنایی، سرور، مخابرات و UPS.

andnbsp;

اعتبارسنجی محصول

مطابق با استاندارد JEDEC تایید شده است

andnbsp;

MOSFET

600V CoolMOSandordf; P7 دستگاه قدرت

CoolMOSandtrade; پلتفرم نسل 7 یک فناوری انقلابی برای MOSFETهای قدرت ولتاژ بالا است که بر اساس اصل اتصال فوق‌العاده (SJ) طراحی شده و توسط Infineon Technologies پیشگام شده است. سری 600V CoolMOSandtrade; P7 جانشین سری CoolMOSandtrade; P6 است. این مزایای یک SJMOSFET با سوئیچینگ سریع را با سهولت استفاده عالی، به عنوان مثال، تمایل به زنگ زدن بسیار کم، استحکام برجسته دیود بدنه در برابر جابجایی سخت و قابلیت ESD عالی ترکیب می‌کند. علاوه بر این، تلفات سوئیچینگ و هدایت بسیار کم، کاربردهای سوئیچینگ را حتی کارآمدتر، جمع و جورتر و بسیار خنک‌تر می‌کند.

andnbsp;

اطلاعات

دسته بندی	محصولات نیمه‌هادی گسسته ترانزیستورها FETها، MOSFETها FETهای تکی، MOSFETها	andnbsp;
تولید کننده	Infineon Technologies	andnbsp;
سری	CoolMOSandtrade; P7	andnbsp;
بسته بندی	لوله	andnbsp;
وضعیت قطعه	فعال	andnbsp;
نوع FET	N-Channel	andnbsp;
فناوری	MOSFET (اکسید فلز)	andnbsp;
ولتاژ تخلیه به منبع (Vdss)	600 ولت	andnbsp;
جریان - تخلیه پیوسته (Id) @ 25anddeg;C	9A (Tc)	andnbsp;
ولتاژ درایو (حداکثر Rds On، حداقل Rds On)	10 ولت	andnbsp;
Rds On (حداکثر) @ Id, Vgs	360mOhm @ 2.7A, 10V	andnbsp;
Vgs(th) (حداکثر) @ Id	4V @ 140andmicro;A	andnbsp;
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs	13 نانو فاراد @ 10 ولت	andnbsp;
Vgs (حداکثر)	andplusmn;20V	andnbsp;
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	555 pF @ 400 V	andnbsp;
ویژگی FET	-	andnbsp;
اتلاف توان (حداکثر)	22W (Tc)	andnbsp;
دمای عملیاتی	-40anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
درجه	-	andnbsp;
صلاحیت	-	andnbsp;
نوع نصب	از طریق سوراخ	andnbsp;
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TO220-FP	andnbsp;
بسته / کیس	TO-220-3 Full Pack	andnbsp;
شماره محصول پایه	IPA60R360

andnbsp;

نقاشی

andnbsp;

----------------------------------------------------------

1. 10 سال تجربه در زمینه قطعات؛ خدمات یک‌جا برای لیست BOM؛ خدمات PCB و PCBA.

2. تولید آنتن ارتباطی، کابل کواکسیال RF، کانکتور RF، ترمینال‌ها.

3. توزیع ماژول GSM/GPRS، GPS، 3G، 4G/LTE.

محصولات با کیفیت بالا، قیمت رقابتی و خدمات حرفه‌ای ما،

مطمئن باشید که نیاز شما را برای انواع قطعات برآورده می‌کنیم. ^_^

andnbsp;

برچسب:

تماس با شخص: Mrs. Natasha

تلفن: 86-13723770752

فکس: 86-755-82815220

سایر محصولات

TLV6001IDBVR 1.8V تا 5.5V Rail-to-Rail Op Amp قدرت پایین 10μA 1kHz بسته GBW Micro SOT-23 برای سنسورهای باتری و دستگاه های قابل حمل

تابع: پله ، پله به پایین