Name: IRFHM9331TRPBF 30V دو N + P MOSFET 5.3A/3.7A 0.045Ω/0.075Ω Rds ((on) DFN-10 175 °C AEC-Q101
Brand: TOP Electronic Industry Co., Ltd.
SKU: IRFHM9331TRPBF
Price: 364.05 USD
Availability: InStock

همه محصولات

ماژول 4G 5G (37)

ماژول ارتباط بی سیم (38)

ماژول گیرنده GPS (11)

ماژول های برق یکپارچه (4)

ماژول قدرت IGBT (58)

اجزای مدار مجتمع (533)

قطعات الکترونیکی منفعل (91)

بالا بردن GPS آنتن (14)

آنتن ارتباطات بی سیم (30)

آنتن دسته کوچک موسیقی جاز (14)

آنتن فرکانس پایین (5)

آنتن تلویزیون دیجیتال (7)

کابل کواکسیال RF (9)

اتصال کواکسیال RF (10)

خدمات مونتاژ PCB (5)

اتصالات ترمینال بلوک (16)

چین TOP Electronic Industry Co., Ltd. گواهینامه ها

محصول عالی، کیفیت خوب، قیمت رقابتی، خدمات حرفه ای، با همکاری 10 ساله، در حال حاضر ما تبدیل به دوستان خوب یکدیگر.

—— رونالد از بویلویا

بسیار خوشحالیم که TOP را به عنوان شریک ما در چین پیدا می کنیم، در اینجا می توانیم بهترین محصولات و خدمات را بدست آوریم، آنها همیشه مشتری را در جای خود قرار می دهند.

—— کارلوس- از آرژانتین

من با تمام خدمات شما راضی هستم. این واقعا یک تیم خوب است! با پیشنهاد راه حل یک مرحله ای، ما به صرفه جویی در زمان و پول کمک می کنیم

—— جیانکارلو از ایتالیا

چت IM آنلاین در حال حاضر

محل منبع:

چین

نام تجاری:

Infineon

گواهی:

CE, GCF, ROHS

شماره مدل:

IRFHM9331TRPBF

مقدار حداقل تعداد سفارش:

قیمت:

negotiable

جزئیات بسته بندی:

در ابتدا در سینی اصلی ، سپس کارتن ، در آخرین کیسه حباب برای بسته بندی بیرونی بسته بندی شده است

زمان تحویل:

3-5 روز کاری پس از دریافت پرداخت

شرایط پرداخت:

T/T، Western Union،

قابلیت ارائه:

1000 عدد در ماه

عملکرد:	پله بالا، گام به پایین	پیکربندی خروجی:	مثبت یا منفی
توپولوژی:	باک، بوست	نوع خروجی:	قابل تنظیم
تعداد خروجی ها:	1
برجسته کردن:	ماسفت N+P دوگانه 30 ولت,ماسفت DFN-10 AEC-Q101,ماسفت 5.3A 3.7A Rds(on) , DFN-10 AEC-Q101 MOSFET , 5.3A 3.7A Rds(on) MOSFET

دسته بندی	محصولات نیمه هادی جدا ترانزیستورها FETs، MOSFETs FET های تک، MOSFET ها
مفر	تکنولوژی های اینفینیون
سری	HEXFETandreg؛
بسته بندی	نوار و ریل (TR) وnbsp؛ نوار برش (CTandnbsp;) "ديجي ريلاند"
وضعیت بخش	فعال
نوع FET	کانال P
تکنولوژی	MOSFET (آکسید فلز)
ولتاژ تخلیه به منبع (Vdss)	30 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25anddeg؛C	11A (Ta) ، 24A (Tc)
ولتاژ درایو (Max Rds On، Min Rds On)	10 ولت، 20 ولت
Rds On (Max) @ Id، Vgs	10mOhm @ 11A، 20V
Vgs(th) (حداکثر) @ Id	2.4 ولت @ 25 و میکرو A
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	و+mn؛25V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداقل) @ Vds	1543 pF @ 25 V
ویژگی FET	-
از بین رفتن قدرت (حداکثر)	2.8W (Ta)
دمای کار	-55 و درجه C ~ 150 و درجه C (TJ)
درجه	-
صلاحیت	-
نوع نصب	ارتفاع سطح
بسته دستگاه تامین کننده	PQFN (3x3)
بسته بندی / کیس	8-PowerTDFN
شماره محصول پایه	IRFHM9331

IRFHM9331TRPBF 30V دو N + P MOSFET 5.3A/3.7A 0.045Ω/0.075Ω Rds ((on) DFN-10 175 °C AEC-Q101

IRFHM9331TRPBF 30V دو N + P MOSFET 5.3A/3.7A 0.045Ω/0.075Ω Rds ((on) DFN-10 175 °C AEC-Q101

ماسفت N+P دوگانه 30 ولت,ماسفت DFN-10 AEC-Q101,ماسفت 5.3A 3.7A Rds(on)

DFN-10 AEC-Q101 MOSFET

5.3A 3.7A Rds(on) MOSFET

arm flash,electronic integrated circuits,nand flash,

ماسفت N+P دوگانه 30 ولت,ماسفت DFN-10 AEC-Q101,ماسفت 5.3A 3.7A Rds(on),

nand flash